2017年12月7日-北京，存儲技術和解決方案領導廠商西部數據公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布推出全新先進的iNAND®嵌入式閃存盤 (EFD) ，使智能手機用戶能夠充分發揮當前數據驅動型應用的潛力，提升使用體驗。借助西部數據的64層3D NAND技術和先進的UFS與e.MMC接口技術，新型的智能iNAND® 8521和iNAND® 7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數據性能和高容量存儲。當該產品用于智能手機和輕薄型計算設備中時，他們可以為以數據為中心的大量應用加速，包括增強現實(AR)、高分辨率視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗，當然還有新興的終端人工智能 (AI) 和物聯網 (IoT)體驗。

　　< 西部數據公司 嵌入式及集成解決方案(EIS) 產品市場管理總監-包繼紅女士>

　　數據量、數據的產生速度、多樣化和其帶來的價值都持續呈指數級增長和演變，包括大數據、快速數據和個人數據各個方面。全球眾多消費者都將在智能手機上體驗到這些數據的整合。

　　Counterpoint Research智能設備及生態系統研究總監閆占孟先生表示：“我們預計到2018年末，全球每部智能手機的平均存儲容量將攀升到超過60GB，用以支持由設備上人工智能和增強現實所帶來的日益增多的豐富多媒體內容和數據驅動體驗。這推動了我們向先進的3D NAND嵌入式閃存解決方案演進，從而進一步推動這些豐富的體驗。”

　　西部數據公司嵌入式和集成解決方案副總裁Christopher Bergey表示：“除了360度視頻和多鏡頭攝像頭，移動應用中人工智能的出現提供了更加沉浸式的體驗，將把智能手機以數據為中心的特點提升到新的水平。我們創新的新型iNAND解決方案推動數據在高度密集的移動應用和體驗中繁榮。我們將西部數據業界領先的X3 3D NAND技術、與新款增強的獨特應用感知型SmartSLC技術相結合，為客戶提供了我們智能的高性能iNAND設備。這些iNAND系列的全新解決方案使得我們能夠繼續從容應對全球變化多端的移動市場中日益提高的移動數據需求。”

　　iNAND 8521 嵌入式閃存盤-滿足旗艦移動設備在5G網絡中的性能需求

　　iNAND 8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數據的用戶設計，采用UFS 2.1接口和西部數據新型第五代SmartSLC 技術。相比于公司面向旗艦智能手機的上一代iNAND移動解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤，這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序寫入速度1和高達10倍的隨機寫入速度2。通過快速并智能響應用戶的應用性能需求，它使用戶能夠快速玩轉虛擬現實游戲，并且快速下載高清電影。此外，當服務提供商向5G網絡演進時，iNAND 8521嵌入式閃存盤卓越的數據傳輸速度還將允許移動用戶利用更快的Wi-Fi和網絡增強功能。

< 閃迪iNAND 8521 UFS嵌入式閃存盤>

　　iNAND 7550嵌入式閃存盤-適用于靈敏的高容量主流智能手機

　　iNAND 7550嵌入式閃存盤幫助移動設備制造商打造存儲空間充足且具有高性價比的智能手機和計算設備，以滿足消費者不斷增長的存儲需求，同時提供快速且具吸引力的應用體驗。iNAND 7550嵌入式閃存盤基于e.MMC 5.1規范，是目前西部數據基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達260 MB/秒的順序寫入性能以及20K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能3，更有助于同時加快自身和應用啟動的速度。

< 閃迪iNAND 7550 嵌入式閃存盤>

　　產品上市和其他信息

　　iNAND系列的新成員iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式閃存盤以西部數據公司旗下的SanDisk®品牌銷售。十余年來，該系列得到了全球主流智能手機和平板電腦制造商的信任。西部數據公司目前向OEM提供容量為256GB4的iNAND 8521和iNAND 7550閃存盤的樣品。