?今日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）在2022年閃存峰會（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧?（Xtacking）3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。相比長江存儲上一代產(chǎn)品，X3-9070擁有更高的存儲密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設(shè)計，性能提升的同時功耗更低，進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級產(chǎn)品潛能。

長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070

 自2018年問世以來，晶棧?（Xtacking）技術(shù)已成為長江存儲助推閃存行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵動力之一。存儲陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產(chǎn)品帶來了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產(chǎn)品上市周期。隨著長江存儲晶棧?3.0的推出，新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)、5G、智能物聯(lián)（AloT）及其他領(lǐng)域的多樣化應(yīng)用帶來新的機(jī)遇。 

經(jīng)歷了晶棧?從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長江存儲在三維異構(gòu)集成領(lǐng)域已積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，并基于晶棧?技術(shù)成功打造了多款長江存儲系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤，以及用于移動通信和其他嵌入式應(yīng)用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產(chǎn)品，獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評。 

“長江存儲自研晶棧?3.0架構(gòu)的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破，” Forward Insights 創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong表示，“事實(shí)證明，存儲陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術(shù)對推動3D NAND 技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新至關(guān)重要。搭載先進(jìn)的閃存技術(shù)晶棧?3.0平臺，X3-9070是一個關(guān)鍵的行業(yè)里程碑。這也預(yù)示著，存儲單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術(shù)，將有望成為未來的行業(yè)主流。” 

作為一款創(chuàng)新產(chǎn)品，長江存儲X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質(zhì)量可靠性，并通過美國電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）定義的多項(xiàng)測試標(biāo)準(zhǔn)。 

X3-9070具有如下技術(shù)特點(diǎn)：

l 性能：X3-9070實(shí)現(xiàn)高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長江存儲上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升；

l 密度：得益于晶棧?3.0的架構(gòu)創(chuàng)新，X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb的存儲容量；

l 提升系統(tǒng)級產(chǎn)品體驗(yàn)：得益于創(chuàng)新的6-plane設(shè)計，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。 

長江存儲執(zhí)行副總裁陳軼表示：“X3-9070閃存顆粒是長江存儲近年來在三維閃存領(lǐng)域的匠心之作，它擁有出色的性能表現(xiàn)和極高的存儲密度，能夠快速高效地應(yīng)用于主流商用場景之中。面對蓬勃發(fā)展的5G、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、人工智能等新技術(shù)帶來的全新需求和挑戰(zhàn)，長江存儲將始終以晶棧?為基點(diǎn)，不斷開發(fā)更多高品質(zhì)閃存產(chǎn)品，協(xié)同上下游存儲合作伙伴，用晶棧?為存儲產(chǎn)業(yè)賦能，踐行‘成為存儲技術(shù)的領(lǐng)先者，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心價值貢獻(xiàn)者’的使命和責(zé)任。” 

長江存儲致力于成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈值得信賴的合作伙伴，持續(xù)拓展創(chuàng)新邊界，推動三維閃存技術(shù)向更高、更快、更強(qiáng)發(fā)展。