DDR4內(nèi)存在2014年推出時，其性能是DDR3內(nèi)存的1.5倍，而內(nèi)存接口的功耗卻令人印象深刻，與DDR3內(nèi)存相比，降低了25%的功耗。此外，DDR4支持每個模塊的***容量為512 GB，并且具有比其DDR3內(nèi)存更多的存儲空間，以及更快的循環(huán)和增加的引腳數(shù)(284)，以支持更高的尋址能力。

根據(jù)IC Insights的說法，DDR4內(nèi)存標準包括一些功能，可以加快內(nèi)存操作，并增加服務器，筆記本和臺式機，平板電腦以及各種消費電子產(chǎn)品的SDRAM存儲。更具體地說，DDR4支持多達8個器件的堆疊存儲器芯片，向存儲器控制器提供單個信號負載。事實上，與DDR3內(nèi)存相比，DDR4內(nèi)存提供了雙模塊密度和雙倍速度的潛力，同時降低了功耗，并延長了未來64位平板電腦和智能手機的電池壽命。 DDR4內(nèi)存預計今年將成為DRAM的主導產(chǎn)品，其市場份額將達到58%，而DDR3內(nèi)存的市場份額為39%。

變得更好

雖然DDR4的時鐘頻率為1.6Gbps至3.2Gbps，但標準化機構固態(tài)技術協(xié)會(JEDEC)最近公布的下一代DRAM-DDR5內(nèi)存將實現(xiàn)雙倍的帶寬，從而實現(xiàn)3.2Gbps至6.4Gbps的時鐘頻率，以滿足數(shù)據(jù)中心在物聯(lián)網(wǎng)的時代(IoT)不斷增長的帶寬需求。事實上，普遍連接的新時代已經(jīng)產(chǎn)生了數(shù)字海嘯般的數(shù)據(jù)，這正在推動DDR4內(nèi)存突破容量和內(nèi)存帶寬的限制。

雖然DDR5標準制定的工作仍在進行中，但早期公開發(fā)布的信息顯示出了許多進化的改進。這些包括更高的密度，新的命令結構和新的省電功能。 DDR5內(nèi)存還可能引入信號均衡和糾錯功能。

引入高帶寬內(nèi)存(HBM)是提高服務器內(nèi)存性能的另一種方法。本質(zhì)上，高帶寬內(nèi)存(HBM)通過將低延遲DRAM內(nèi)存放置在更加靠近CPU的位置來支持本地可用內(nèi)存。

此外，高帶寬內(nèi)存(HBM)通過為1024位的SoC提供非常寬的接口來增加存儲器帶寬。這意味著HBM2的***速度為2Gbps，總帶寬為256GB / s。雖然其比特率與2.1Gbps的DDR3內(nèi)存類似，但8位128位通道為HBM提供了大約15倍的帶寬。此外，與現(xiàn)有架構相比，四個HBM存儲器堆棧鄰近CPU，每個具有256GB /s(例如)的存儲速率，顯著地提高了存儲器密度和帶寬。

除了DDR5內(nèi)存和高帶寬內(nèi)存(HBM)之外，正在部署混合DIMM技術，如NVDIMM(非易失性DIMM)，以滿足不斷增長的內(nèi)存容量和帶寬需求。據(jù)JEDEC稱，NVDIMM-P將為計算機系統(tǒng)的新型高容量持久存儲器模塊提供針對成本，功耗和性能優(yōu)化的新內(nèi)存解決方案。事實上，DIMM的持久內(nèi)存使用支持超大規(guī)模，高性能和高容量數(shù)據(jù)中心的多種用例。這些應用包括減少延遲，降低功耗，元數(shù)據(jù)存儲，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫，軟件定義的服務器RAID以及意外故障期間的處理負載減少。

應該注意的是，NVDIMM-P可以在DIMM上實現(xiàn)完全可訪問的閃存，從而允許系統(tǒng)利用非易失性存儲器作為附加的高速存儲器。同時，NVDIMM-N旨在使閃存作為DRAM的持久存儲器備份。實際上，這意味著DRAM數(shù)據(jù)本地存儲在閃存上，從而在減少CPU負載的同時，并產(chǎn)生持久性(在停電的情況下)。

總而言之，日益相連的世界激勵了行業(yè)巨頭在數(shù)據(jù)中心實施和創(chuàng)新新架構，以消除各種瓶頸。這其中包括DDR4內(nèi)存和DDR5緩沖芯片，第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)和混合DIMM技術，如NVDIMM-P和NVDIMM-N。相信存儲行業(yè)廠商需要共同開發(fā)下一代存儲解決方案，同時堅持以最小的變化加快當前研發(fā)速度。