終于弄清楚了！存儲產品瘋狂漲價的原因
大約是從去年年中開始，以固態硬盤為代表的，包括固態硬盤、內存條、優盤甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存產品，開始緩慢漲價。一開始的漲價幅度并不是特別大，許多人并沒有在意，也沒有太多人去解讀。
但是隨著時間的推移，到了2016年第三第四季度，漲價的幅度逐漸增大，大幅超過許多人的心理預期價位時，有人開始質疑了：閃存產品為什么漲價如此厲害?然而，存儲產品的漲價風波并沒有就此停下腳步，進入2017年。無論是閃存大戶固態硬盤，還是內存條閃存卡等產品線，依舊在漲價的路上越走越遠。
那么，此輪存儲產品線的漲價風波到底緣何而起?此輪漲價風波到底何時方能風平浪靜?
漲價風波緣起之一：技術冒進，量產不足
近年來，隨著固態硬盤的普及，主流的存儲產品，幾乎都開始以閃存作為主要的存儲介質，可能唯一的區別在于是易失性還是非易失性。
在過去的一年，隨著固態硬盤加入主流存儲產品序列，各大閃存原廠開始擴大園區，加速產能，以期推出更多的原廠閃存以供給下游新生的固態硬盤存儲廠商對于閃存原料的需求。然而，無論是擴大園區還是加速產能，幾乎都無法滿足，在去年開始爆發性增長的對于閃存原料的需求，以及隨著固態硬盤走向平民化帶來的利潤率下降問題。
各大閃存原廠開始從閃存技術方面進行革新，先是大量采用TLC替代MLC閃存顆粒，提高量產的同時還能提高利潤率，然而這一招并不能從根基上解決產能不足問題。于是，全行業開始從2D NAND制程轉向3D NAND制程，力圖從提高單位閃存顆粒的***容量上著手，間接提高整體閃存的出貨量，以滿足整個市場對于閃存原料的需求。
SLC/MLC/TLC三種層疊示意圖
在這里簡單介紹2D NAND和3D NAND之間的區別和聯系。2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數間平房，這些平房整齊排列。但是隨著需求量的不斷增加，平房的數量不斷井噴，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數量的平房而無法繼續增加
3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠遠高于平房。因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。
從結果而言，采用這一技術的確是能夠快速有效的解決閃存量產不足的問題。然而，眾多原廠卻忽視了技術瓶頸，對于3D NAND技術下閃存切割的良品率過于樂觀，致使在2D NAND轉至3D NAND的過程中，遠遠達不到預期產量，進一步加劇了閃存供應不足的現實局面，更何況在2D轉3D技術的過程中，所有的機械、人工、廠房的投入，不可能因為技術瓶頸而放棄研發，重新轉回2D,更加劇了2D NAND的減產，引發全行業的閃存缺貨。
供不應求，則必然導致的結果是存儲廠商采購成本的提高，從而引發終端產品的價格一路飛漲。
漲價緣起之二：大容量存儲成為數碼標配
如果說，技術冒進引發量產不足是以固態硬盤為代表的存儲產品漲價的內因的話，那么在2016年開始流行的數碼產品配備大容量存儲器則可以說是，引發存儲產品漲價的***外因了。
眾所周知，在全世界范圍內，能夠獨立生產和封裝閃存原料的所謂原廠僅有***的幾家，然而這幾家的閃存原料，卻要供應包括傳統的存儲產品，例如固態硬盤、閃存卡、優盤甚至部分內存，還要供應給量級不斷攀升的手機、平板電腦、超極本以及一體機等新興數碼產品。
鑒于此類新興數碼產品，大都是一體化設計無法實現外置存儲功能，大約從去年開始，對于大容量的內部存儲器的需求，不斷加碼。高達128GB甚至256GB內置存儲容量，成為了這些新興數碼產品的標配，更成為了某些科技公司利潤率的重大保障。
同時，此類新興數碼產品的銷量和熱度的攀升，利潤率的上升，給予原廠更多的價格回饋，因而更多的原廠愿意將閃存原料優先供給給手機平板以及超極本等客戶，這就進一步加劇了固態硬盤等傳統存儲產品閃存原料的缺失。
閃存原料的傾斜，引發的連鎖效應，倒逼存儲廠商不得不上調價格維系利潤。
漲價緣起之三：閃存技術引發服務器市場的青睞
在傳統的存儲行業，一直存在著消費級市場和服務器級市場。一般來說，新興的存儲技術在消費級存儲市場得到了充分驗證，保證技術上的穩定后，服務器級市場便會開始大規模應用。
在固態硬盤技術處于2D NAND時代，服務器級市場幾乎很少使用固態硬盤作為存儲介質，畢竟服務器市場的負載壓力和容量要求，非一般的固態硬盤能夠滿足。
但是，隨著近年來，Intel的3D X-POINT的正式問世，也就是Optane敖騰等服務器級市場存儲產品的登場，越來越多的尚未應用以閃存為存儲介質的服務器級市場，開始從去年開始慢慢進行產品的更新換代，將老舊的服務器級機械硬盤替下，換上技術更為先進，速度更快，性能更穩定的固態硬盤。
就在不久前，Intel官方還在公開場合宣布，隨著3D Xpoint的成熟，Intel將在2017年優先生產高速增長的數據中心應用(也就是服務器級市場)的固態硬盤，而不是低成本的消費級固態硬盤。
服務器級市場的對于閃存顆粒需求的釋放，無疑給身處缺貨困惱的消費級存儲市場又一重擊。眾所周知，服務器級市場鑒于其服務定位及產品功能，在采購方面的議價能力遠高于消費級存儲市場，對于閃存原料的控制力，更是一眾消費級存儲廠商不可同日而語的。在高價采購閃存原料的情況下，固態硬盤等存儲產品漲價也就不難理解了。
漲價風波何時能止：2018年年初有望回落
既然存儲產品瘋狂漲價的根源在于閃存顆粒的量產不足，那么唯有等到所有的閃存原廠在3D制程上實現了完全突破，幾大原廠能夠在同一體系下進行競爭，存儲產品漲價的風波才有可能停歇，正如同當下神州大地瘋狂上漲的房價，唯有政府敢于丟卒保車，方破解全局。
那么，各大閃存原廠的3D制程都發展到哪一階段了呢?根據公開消息，首先是Intel，不久前發布了全新針對服務器級市場的，基于3D Xpoint產品，并在2017年全年加緊供貨服務器級市場;接著是三星，三星***的Fab18閃存工廠，不久將要投入量產，2017年將是量產的關鍵之年;同樣的東芝Fab2、美光Fab10x以及SK海力士M14等閃存工廠都將在2017年進行量產。
幾乎所有的閃存原廠都將在2017年開始量產基于***堆疊層數的3D NAND技術產品，量產的產品經過最終封裝和分發到存儲廠商手中，然后經由存儲廠商進行產品方案的選擇和最終推出到市場，可能還會經歷一段時間。根據供應鏈一般的流程以及筆者個人觀點預計，存儲產品的價格回落最快得到2017年年底到2018年年初，甚至可能延期到2018年***季度。
任何電子產品，受制于上下游制程或是工藝，都會在一段時間內呈現反常的大規模漲價或是降價，這是正常的市場行為表現。作為消費者的我們，不用太過在意所謂漲價和降價，所有的購買行為應當根據真實需求。正所謂，塞翁失馬，焉知非福。
